Samsung lanserar 12nm nivå 32 GB DDR5 DRAM, som stöder upp till 128 GB minnesmoduler
Enligt WCCFTECH har Samsung meddelat lanseringen av världens första 32 GB DDR5 DRAM -lösning baserad på 12NM -processteknologi, vilket kan stödja upp till 128 GB minnesmoduler.
Hittills har minnestillverkare som SK Hynix och Micron tillhandahållit 24 GB DDR5 DRAM, som kan uppnå en 96 GB -minneslösning, men Samsung har ökat kapaciteten med 33,3% med en 12nm -nivå lösning.Samtidigt har Micron också bekräftat lanseringen av 32 GB DDR5 DRAM, men hittills har bara en färdplan släppts.
Samsung tillkännagav starten på massproduktionen på 12nm nivå 16 GB DDR5 DRAM i maj i år.Den nya 12nm nivå 32 GB DDR5 DRAM planeras att påbörja massproduktionen i slutet av detta år.
Samsung uppgav att med en 12nm nivå 32 GB DRAM kan en lösning som kan uppnå upp till 1 TB DRAM-moduler möta den växande efterfrågan på hög kapacitet DRAM i ERA med konstgjord intelligens.
Samsung utvecklade sin första 64KB DRAM 1983 och har framgångsrikt ökat sin DRAM -kapacitet med 500000 gånger under de senaste fyrtio åren.
Samsungs senaste minnesprodukter utvecklas med avancerade processer och tekniker för att förbättra integrationstätheten och designoptimering.De har branschens högsta enskilda DRAM -chipkapacitet och ger två gånger kapaciteten på 16 GB DDR5 DRAM i samma förpackningsstorlek.
Tidigare krävde DDR5 128 GB DRAM -moduler tillverkade med 16 GB DRAM att använda kisel genom hål (TSV) -teknologi.Nu, genom att använda Samsung 32 GB DRAM, kan 128 GB -moduler produceras utan användning av TSV -teknik, samtidigt som strömförbrukningen minskade med cirka 10% jämfört med 128 GB -moduler med 16 GB DRAM.Detta tekniska genombrott gör denna produkt till en av de bästa lösningarna för energieffektivitets medvetna företag som datacentra.
Baserat på 12nm nivå 32 GB DDR5 DRAM, planerar Samsung att fortsätta utöka sin högkapacitet DRAM-produktuppställning för att tillgodose datorns nuvarande och framtida behov och IT-branscher.Samsung kommer att bekräfta sin ledarposition på nästa generations DRAM-marknad genom att tillhandahålla 12nm nivå 32 GB DRAM till kunder i datacenter, artificiell intelligens och nästa generations datoranvändning.
Samsung tillkännagav starten på massproduktionen på 12nm nivå 16 GB DDR5 DRAM i maj i år.Den nya 12nm nivå 32 GB DDR5 DRAM planeras att påbörja massproduktionen i slutet av detta år.
Samsung uppgav att med en 12nm nivå 32 GB DRAM kan en lösning som kan uppnå upp till 1 TB DRAM-moduler möta den växande efterfrågan på hög kapacitet DRAM i ERA med konstgjord intelligens.
Samsung utvecklade sin första 64KB DRAM 1983 och har framgångsrikt ökat sin DRAM -kapacitet med 500000 gånger under de senaste fyrtio åren.
Samsungs senaste minnesprodukter utvecklas med avancerade processer och tekniker för att förbättra integrationstätheten och designoptimering.De har branschens högsta enskilda DRAM -chipkapacitet och ger två gånger kapaciteten på 16 GB DDR5 DRAM i samma förpackningsstorlek.
Tidigare krävde DDR5 128 GB DRAM -moduler tillverkade med 16 GB DRAM att använda kisel genom hål (TSV) -teknologi.Nu, genom att använda Samsung 32 GB DRAM, kan 128 GB -moduler produceras utan användning av TSV -teknik, samtidigt som strömförbrukningen minskade med cirka 10% jämfört med 128 GB -moduler med 16 GB DRAM.Detta tekniska genombrott gör denna produkt till en av de bästa lösningarna för energieffektivitets medvetna företag som datacentra.
Baserat på 12nm nivå 32 GB DDR5 DRAM, planerar Samsung att fortsätta utöka sin högkapacitet DRAM-produktuppställning för att tillgodose datorns nuvarande och framtida behov och IT-branscher.Samsung kommer att bekräfta sin ledarposition på nästa generations DRAM-marknad genom att tillhandahålla 12nm nivå 32 GB DRAM till kunder i datacenter, artificiell intelligens och nästa generations datoranvändning.