på 2024/10/16 283

BS170 N-kanal MOSFET: Pinout och ekvivalenter

BS170 N-kanal MOSFET står som ett bevis på moderna halvledarframsteg, främst känd för sin effektivitet, mångsidighet och tillförlitlighet.Denna MOSFET är förpackad i en kompakt till-92-form och erbjuder anmärkningsvärda växlingshastigheter och hanterar strömmar upp till 500 mA, vilket gör den idealisk för olika applikationer som höghastighetsomkoppling, amplifiering och lågspänningsoperationer.Oavsett om det är drivande batteridrivna enheter eller driver små motorer, spelar BS170 en viktig roll för att förbättra prestandan och effektiviteten i elektroniska system.I den här artikeln kommer vi att utforska dess viktiga applikationer, tekniska attribut och hur den integreras sömlöst i olika mönster.

Katalog

BS170 översikt

De BS170, ett N-kanal MOSFET med ett TO-92-paket, exemplifierar toppen av modern halvledarinnovation.Genom att använda Fairchild Semiconductors banbrytande DMOS-process med hög densitet, manifesterar den imponerande låg motstånd och pålitliga, snabba växlingsfunktioner.Dessa egenskaper älskar det för en mängd applikationer.Till exempel hanterar den skickligt strömmar upp till 500 mA och utför höghastighetsoperationer inom en anmärkningsvärd 7 nanosekunder.Därför blir det ett idealiskt val för bärbara enheter och batteridriven utrustning, vilket bevisar att avancerad teknik avsevärt kan berika vårt dagliga liv.

I världen av att byta applikationer sticker BS170 ut på grund av dess adeptness att hantera höga strömmar med minimal effektförlust.Dess varningssvarstid främjar exceptionell effektivitet, ett aktivt drag för enheter som krävs att utföra snabba on-off-cykler.Att utnyttja denna MOSFET i sådana scenarier höjer driftseffektiviteten som liknar hur exakta industriella kontrollsystem förstärker produktiviteten. BS170: s exceptionella växlingshastighet, toppar vid 7 nanosekunder, stärker sin roll i höghastighetsapplikationer.Till exempel, i kommunikationssystem där Swift-dataöverföring är nödvändig, säkerställer MOSFET: s snabba switching-förmåga minskade latens och förstärker prestandans tillförlitlighet.Denna kapacitet speglar optimering av arbetsflödesprocesser som krävs i konkurrerande affärslandskap.

BS170 tjänar som en förstärkare, tillgodoser BS170 till ljudförstärkningsbehov och levererar tydlig och exakt ljudkvalitet.Dessutom utmärker det sig i allmän signalförstärkning, stärker svaga signaler utan väsentlig brus eller distorsion.Denna funktion liknar förbättring av tydligheten i teamkommunikation, vilket säkerställer att instruktionerna är begripliga och uppgifter utförs med precision.BS170 visar sig anmärkningsvärt effektivt i lågspänning och nuvarande applikationer, såsom liten servomotorstyrning och kraftmosfetgrindkörning.Dess tillförlitlighet i dessa roller kan jämföras med fint kalibrerade instrument i vetenskapliga experiment som kräver precision och minimala felmarginaler, vilket säkerställer att uppgifter utförs noggrant utan utrymme för misstag.

BS170 Pinout -diagram

BS170 CAD -representation

Schematisk symbol

PCB -fotavtryck

3D -visualisering

BS170 attribut

Särdrag	Beskrivning
Paket	Till 92
Transistor Typ	N-kanal
Dränera till källspänning (VDS)	60V (Maximal)
Gate till källspänning (VGS)	± 20V (Maximal)
Kontinuerlig Tappström (ID)	500 mA (Maximal)
Pulserad Tappström (ID)	500 mA (Maximal)
Driva Dissipation (PD)	830mw (Maximal)
Gate Tröskelspänning (VGS (TH))	0,8V (Minimum)
Lagring & Driftstemperatur	-55 ° C till +150 ° C
Pb-fri	Ja
Låg Offset och felspänning	Ja
Lätt Driven utan buffert	Ja
Högdensitet Celldesign	Minimera Motstånd mot tillstånd (RDS (ON))
Spänning Kontrollerad liten signalomkopplare	Ja
Hög Mättnadsströmförmåga	Ja
Oländig och pålitlig	Ja
Snabb Växlingstid (ton)	4ns

Tekniska detaljer

Typ	Värde
Fabrik Ledtid	11 Veckor
Kontakta Plåt	Koppar, Silver, tenn
Montera	Genom Hål
Montering Typ	Genom Hål
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Antal stift	3
Leverantör Enhetspaket	TO-92-3
Vikt	4.535924G
Nuvarande - kontinuerlig dränering (id) @ 25 ℃	500 mA Ta
Köra Spänning (max rds på, min rds on)	10V
Antal av element	1
Driva Dissipation (max)	830mw Ta
Drifts- Temperatur	-55 ° C ~ 150 ° C Tj
Förpackning	Bulk
Publicerad	2005
Del Status	Aktiv
Fukt Känslighetsnivå (MSL)	1 (Obegränsat)
Motstånd	5OHM
Max Driftstemperatur	150 ° C
Min Driftstemperatur	-55 ° C
Spänning - Klassad DC	60V
Nuvarande Gradering	500 mA
Bas Artikelnummer	BS170
Spänning	60V
Element Konfiguration	Enda
Nuvarande	5A
Driva Spridning	830mw
Fet Typ	N-kanal
Rds På (max) @ id, vgs	5OHM @ 200mA, 10V
VGS (th) (Max) @ id	3v @ 1 mA
Input Kapacitans (CISS) (max) @ vds	40pf @ 10v
Dränera till källspänning (VDSS)	60V
Vgs (Max)	± 20V
Kontinuerlig Tappström (ID)	500 mA
Tröskel Spänning	2.1V
Gate till källspänning (VGS)	20V
Dränera för att källa nedbrytningsspänning	60V
Input Kapacitans	24pf
Dränera till källmotstånd	5OHM
Rds På max	5Ω
Nominell Vgs	2.1V
Höjd	5,33 mm
Längd	5.2 mm
Bredd	4,19 mm
NÅ Svhc	Inga Svhc
Strålning Härdning	Inga
Rohs Status	ROHS3 Kompatibel
Leda Gratis	Leda Gratis

BS170 ersättare

Artikelnummer	Beskrivning	Tillverkare
ND2406L-TR1TRANSISTORS	Små Signalfälteffekttransistor, 0,23A I (d), 240V, 1-element, n-kanal, Kisel, metalloxid halvledare FET, TO-226AA, TO-92, 3 stift	Vishay Kisel
Bsn20bk-transistorer	Små Signalfälteffekttransistor, 0,265A I (d), 60V, 1-element, n-kanal, Kisel, metalloxid halvledare FET, TO-236AB	Nexperia
VN1310N3P015TRANSISTORS	Små Signalfälteffekttransistor, 0,25A I (d), 100V, 1-element, n-kanal, Kisel, metalloxid halvledare FET, TO-92	Supertex Inkl
VN1710LP018TRANSISTORS	Små Signalfälteffekttransistor, 0,22A I (d), 170V, 1-element, n-kanal, Kisel, metalloxid halvledare FET, TO-92	Supertex Inkl
MPF6659TRANSISTORS	2000ma, 35V, N-kanal, SI, liten signal, MOSFET, TO-92	Motorola Mobility LLC
SST4118T1TRANSISTORS	Små Signalfälteffekttransistor, 1-element, N-kanal, kisel, korsning FET, Plastpaket-3	Kalogisk Inkl
BS208-dammotransistorer	TRANSISTOR 200 Ma, 200 V, P-kanal, SI, liten signal, MOSFET, TO-92, FET General Syfte liten signal	Nxp Halvledare
SD1106DDTRANSISTORS	Driva Fälteffekttransistor, N-kanal, metalloxid halvledare FET	Topas Halvledare
BSS7728E6327TRANSISTORS	Små Signalfälteffekttransistor, 0,15A I (d), 60V, 1-element, n-kanal, Kisel, metalloxid halvledare FET, SOT-23, 3 stift	Ininteon Teknik ag
2SK1585-T2TRANSISTORS	Små Signalfälteffekttransistor, 1A I (d), 16V, 1-element, n-kanal, kisel, Metalloxid halvledare FET, kraft, mini mögel, SC-62, 3-stift	Neklig Elektronikgrupp

BS170 -ekvivalenter

2n7000

2n7002

VQ1000J

VQ1000P

IRLML2502

Utforska tillämpningarna från BS170

BS170 MOSFET visar anmärkningsvärt användbarhet i både omkopplings- och amplifieringsfunktioner, vilket gör det till en grundläggande komponent i olika elektroniska mönster.

Omkopplingsapplikationer

Han hanterar belastningar upp till 500 mA, BS170 är väl lämpad för körenheter som reläer, lysdioder och små motorer.Denna lasthanteringskapacitet är mestadels fördelaktig i mikrokontrollbaserade projekt, särskilt de som använder plattformar som Arduino och Raspberry PI.Enkelheten med att kontrollera BS170 med lågspänningssignaler är i harmoni med utgångsegenskaperna för dessa mikrokontroller.Denna kongruens möjliggör smidig integration utan att kräva extra amplifieringskretsar.I praktiska tillämpningar kan du ofta vända dig till BS170 för att gränssnitt med reläer, utformat metoder för att växla högre strömbelastningar med minimal belastning på mikrokontrollern.På samma sätt, vid hantering av LED -matriser, utmärker BS170 i kraftfördelning, vilket säkerställer konsekvent och stabil prestanda.

Förstärkningsapplikationer

BS170 är också ovärderlig i amplifieringsscenarier, inklusive ljudkretsar och signalförstärkning på låg nivå.Driften med minimal grindspänning förbättrar effektiviteten, aktiv för exakt kontroll över utgångssignaler.Denna effektivitet är mest uppskattad i ljudanordningar där tydlighet och trohet inte kan komprometteras.Dessutom finner BS170: s förmåga att förstärka signaler på låg nivå anmärkningsvärd tillämpning i känsliga sensoruppgifter.I miljöövervakningssystem är till exempel behovet av att förstärka svaga signaler från temperatur- eller fuktighetssensorer utan betydande brus.Denna förstärkning säkerställer exakt datarepresentation och hjälper mer informerade beslutsfattande.

Jämförande analys med bipolära korsningstransistorer (BJTS)

Både MOSFET: er och BJT: er kontrollerar strömflödet i kretsar, men BS170 understryker distinkta skillnader i kontrollmekanismer.Till skillnad från BJTS, som kräver en kontinuerlig ström vid basen för att modulera samlaremitterströmmen, behöver BS170 bara en liten grindspänning.Detta attribut minskar strömförbrukningen och förenklar kontrollens logikkretsar.

Mikrokontrollerutgångar

Mikrokontroller kräver ofta en mellanhand för att driva olika laster, med tanke på deras begränsade logiska nivåer.BS170 tillgodoser detta behov genom att acceptera lågspänningsingångar och leverera högre strömutgångar.Denna utvidgning av kapaciteten är något som att använda en adapter för att länka inkompatibla enheter och därigenom bredda mikrokontrollernas operativa räckvidd.

IC -utgångar

Vid gränssnittsintegrerade kretsar med kringutrustning fungerar BS170 som en buffert för att minimera belastningen på känsliga IC -utgångar.Denna praxis ses ofta i elektronik för att främja tillförlitligheten hos IC-baserade system, vilket säkerställer att de går smidigt utan onödig stress på komponenter.

Signalförstärkning

BS170: s mångsidighet lyser i många applikationer med låg effekt signalförstärkning.Det visar sig vara användbart i telemetri, små sändarkretsar och analog signalförstoring.Tänk på det som att förbättra en svag Wi-Fi-signal, där varje boost räknas för bättre anslutning.

Industriell automatisering (t.ex. maskinkontroller, lätta hinder)

I industriell automatisering är BS170: s robusthet idealisk för maskintyrningssystem och lätta hinder.Den byter effektivt höga belastningar, vilket säkerställer smidig drift aktiv vid minskning av driftstopp och ökar produktiviteten.Du kan lita på sådana komponenter för att hålla systemen igång optimalt.

Batteridrivna enheter

För batteridrivna enheter krävs BS170: s låga effektförbrukning och hög effektivitet.Det förlänger batteritiden genom att minimera energiavfallet.

Statsreläer

BS170 är införlivade i många solid-state-reläer och hanterar betydande belastningar med minimal mekanisk slitage, vilket erbjuder tyst drift och högre tillförlitlighet.Denna tyst och pålitliga funktion är en anmärkningsvärd tillgång i miljöer som medicintekniska produkter, där mekaniskt växlingsbuller är oönskat.

Enhetsdrivare (t.ex. reläer, solenoider, lampor)

BS170 är grundläggande för enhetsdrivare för reläer, solenoider och lampor.Dess pålitliga omkopplingsfunktioner är användbara för att upprätthålla operativ integritet, mestadels i bilapplikationer där robusthet och hållbarhet är mycket värderade.

Logiknivågränssnitt (TTL/CMO)

Underlättande interaktion mellan TTL- och CMOS -logikfamiljer, säkerställer BS170 sömlös kommunikation över olika logikkretsar.Denna integration är aktiv i blandat teknologikonstruktioner, där olika komponentkompatibilitet och systemprestanda är dominerande.

Använder BS170 för LED -kontroll

BS170 MOSFET är nyckeln till att byta en LED i denna ultimata installation.För att fastställa denna installation, anslut grinden och dränera terminaler till en 5V DC -kraftkälla och fäst lysdioden till källterminalen.När en spänningspuls appliceras på grinden aktiveras MOSFET, vilket gör att strömmen kan flyta från avloppet till källan och slå på lysdioden.Att ta bort pulsen upphör med strömflödet och släcker lysdioden.

BS170, en N-kanal MOSFET, fungerar baserat på spänningsskillnaden mellan dess grind och källterminaler.Viktiga operativa fakta inkluderar att när grind-till-källspänningen (V_GS) överstiger runt 2V, kommer MOSFET in i sitt ledande tillstånd.Den här egenskapen säkerställer effektiv växling med minimal effektförlust.På grund av denna effektivitet passar den lågspänningsapplikationer som att växla en LED.

Denna ultimata krets kan utvecklas till olika praktiska tillämpningar.Till exempel integrera en mikrokontroller för att reglera grindpulsen.Detta gör det möjligt för LED att blinka vid specifika frekvenser eller visa komplexa mönster.Sådana integrationer är universella i elektroniska projekt, från grundläggande indikatorer till sofistikerade signalsystem.Att designa kretsar med MOSFETS som BS170 kräver ofta iterativa tester för att göra grindspänningen perfekt för tillförlitlig prestanda.Att säkerställa säkra anslutningar och en stabil strömförsörjning ökar avsevärt kretsens tillförlitlighet.

Förpackning för BS170

Tillverkarinformation

På halvledare står som en globalt inflytelserik enhet i de olika dominanserna av makt, signalhantering, logik och anpassade enheter.De tillgodoser sektorer som sträcker sig över fordon, konsumentelektronik och sjukvård.Med en strategisk närvaro som inkluderar anläggningar och kontor i Nordamerika, Europa och Asien och huvudkontor som ligger i Phoenix, Arizona, är halvledaren beredd att möta branschens utvecklande krav.

Om halvledarens engagemang för tekniska framsteg är det tydligt i sin omfattande portfölj.Deras produkter utgör ryggraden i samtida fordonsdesign, vilket förbättrar fordonssäkerhet, anslutning och energieffektivitet.Detta innebär konkreta fördelar som färre olyckor och en jämnare körupplevelse.

Deras signalhanteringslösningar spelar en huvudroll för att förbättra konsumentelektroniken, vilket säkerställer mer pålitliga och avancerade upplevelser.Föreställ dig den sömlösa driften av dina smarta hemenheter, allt tack vare dessa innovationer.I den medicinska sektorn, på halvledarens anpassade enheter, underlättar avancerad sjukvårdsteknik, vilket bidrar till förbättrade patientresultat och strömlinjeformade medicinska operationer - att göra behandlingar mer effektiva och mindre invasiva.

Jämförbara komponenter

Artikelnummer

Tillverkare

Montera

Förpackning / fodral

Tappa till källspänning (VDSS)

Kontinuerlig dräneringsström (ID)

Ström - kontinuerlig avlopp (ID) @ 25 ° C

Tröskelspänning

Rds på max

Grind till källspänning (VGS)

Maktförsläpp

Power Dissipation-Max

Visa jämför

BS170

PÅ Halvledare

Genom Hål

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

60V

500 ma

500 mA (Ta)

2.1 V

5 Ω

20 v

830 mw

830mw (Ta)

BS170

BS270

PÅ Halvledare

Genom Hål

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

-

400 ma

400 mA (Ta)

2.1 V

-

20 v

630 mw

625MW (Ta)

BS170 Vs BS270

2n7000

PÅ Halvledare

Genom Hål

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

60V

200 ma

200 mA (Ta)

2.1 V

5 Ω

20 v

400 mw

400 mw (Ta)

BS170 Vs 2n7000