på 2024/11/7 126

Utforska MMBT3904 NPN Transistor

I världen av lågeffektelektronik lyser MMBT3904-transistorn för dess mångsidighet och tillförlitlighet.Känd för sin 40V Collector-Emitter-spänning (VCE) -gradering och förmåga att hantera strömmar upp till 200 mA, är det ett go-to-val för både växling och amplifiering i olika kretsar.Från att förstå dess grundläggande stiftkonfiguration till utnyttjande CAD -modeller för exakt kretsdesign erbjuder integrering av MMBT3904 många fördelar.Den här artikeln undersöker dess specifikationer, funktioner och praktiska tillämpningar, vilket ger insikter för att förbättra effektiviteten och prestanda i elektroniska projekt.Oavsett om det är för konsumentenheter eller professionell utrustning är MMBT3904 en nyckelaktör inom modern elektronik.

Katalog

Översikt över MMBT3904 -transistorn

De MMBT3904 sticker ut som en NPN-transistor erkänd för sin starka prestanda i lågkraftsapplikationer, vilket har väckt ditt intresse.Den arbetar med en Collector-Emitter-tröskel (VCE) på 40 volt och tillåter ett maximalt strömflöde på 200 milliamper.Dessa specifikationer tjänar bra i uppgifter som kräver pålitlig växling inom kretsar med måttlig komplexitet.Dess förmåga att stanna kvar i ett omvänt partiskt tillstånd när basen inte signaleras värderas i situationer där upprätthållande av signalintegritet utgör en unik utmaning.

När en bassignal införs övergår MMBT3904 sömlöst till ett framåtriktat tillstånd och förbättrar dess roll som en liten signalomkopplare.Denna exakta kontroll är ofta eftertraktad i kretsar som logikgrindar eller relädrivningar.Transistoren finner praktisk tillämpning i ljudförstärkare och signalbehandlingskretsar, där dess snabba omkopplingsfunktioner är grundläggande till exceptionella prestanda.Tillförlitligheten och effektiviteten för MMBT3904 resonerar med de som är dedikerade till elektronikdesignens hantverk.

Ett av transistorens anmärkningsvärda attribut är dess låga basemitterspänningsbehov, cirka 0,6 volt, vilket tilltalar särskilt designers som är medvetna om energieffektivitet.Detta säkerställer drift med minimal energiförlust, en funktion som berikar din upplevelse i batteridrivna enheter genom att förlänga batteritiden.Dessutom bidrar den låga basemitterspänningen till minskad värmeproduktion och därigenom förbättrar enhetens livslängd och dess omgivande komponenter.Du kan ofta uppskatta dessa egenskaper när du strävar efter hållbara och långvariga kretskonstruktioner.

Stiftkonfiguration

Stiftnummer	Stiftnamn	Beskrivning
1	Sändas	Ström flyter ut genom emitter
2	Bas	Kontrollerar förspänningen av transistorn
3	Samlare	Ström flyter in genom samlaren

Kadrepresentation

Symbol

Fotavtryck

3D -modell

Tekniska specifikationer

Typ	Parameter
Montera	Ytfäste
Monteringstyp	Ytfäste
Förpackning / fodral	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Antal stift	3
Transistorelementmaterial	KISEL
Spänning i samlaremitterande	40V
Antal element	1
hfe min	100
Driftstemperatur	150 ° C TJ
Förpackning	Tape & Reel (TR)
JESD-609 kod	e3
Delstatus	Föråldrad
Fuktkänslighetsnivå (MSL)	1 (obegränsad)
Antal avslutningar	3
ECCN -kod	Örat99
Terminal	Matt tenn (Sn)
Spännings - klassad DC	40V
Max Power Dispipation	350 mw
Terminalposition	DUBBEL
Terminalform	Gullvinge
Toppens återflödetemperatur (° C)	260
Aktuellt betyg	200 mA
Basdelnummer	Mmbt
Räkning	3
Elementkonfiguration	Enda
Maktförsläpp	350 mw
Transistorapplikation	VÄXLANDE
Få bandbreddprodukt	270MHz
Polaritet/kanaltyp	Npn
Transistortyp	Npn
Collector Emitter Spoltage (VCEO)	40V
Max Collector Current	200 mA
DC Current Gain (HFE) (min) @ IC, VCE	100 @ 10mA, 1V
Vce mättnad (max) @ ib, ic	200 mV @ 5mA, 50MA
Övergångsfrekvens	270MHz
Max uppdelningspänning	40V
Collector Base Voltage (VCBO)	60V
Emitter basspänning (VEBO)	6V
Stäng av tiden - Max (TOFF)	250ns
Slå på tid - Max (ton)	70ns
Nå SVHC	Ingen SVHC
Strålning härdning	Inga
ROHS -status	ROHS3 -kompatibel
Blyfri	Blyfri

Drag

Särdrag	Beskrivning
Typ	NPN Small Signal Transistor
Kontinuerlig samlarström (IC)	200 ma
Collector to Emitter Spänningen (VCE)	40 v
Emitter till basspänning (VEB)	6 v
Nuvarande vinst (HFE)	100 till 300
Övergångsfrekvens	300 MHz
Pakettyp	SOT23 (SMD)

Mekaniska egenskaper

Paket

Alternativ

• BC549

• BC636

• BC639

• 2N2222 TO-92

• 2N2222 TO-18

• 2N2369

• 2n3055

• 2N3906

• 2SC5200

Olika användningar av MMBT3904 -transistorn

MMBT3904 -transistorn visar sig vara en exemplifierande komponent för bärbara enheter, med dess anmärkningsvärda kapacitet att fungera som en liten lastomkopplare.Denna komponent lyser, hjälper till med energibesparing och driftseffektivitet som används för batteridrivna enheter.Det tjänar inte bara bärbar teknik, utan dess applikation sträcker sig till konsumentelektronik, som tv -apparater och diverse hushållsapparater.Dess anpassningsförmåga till olika spänningskrav, med förmågan att styra spänningar upp till 40V, visar sin förmåga att förbättra enhetens prestanda samtidigt som tillförlitligheten i olika elektriska situationer.

I många praktiska tillämpningar kan användning av denna typ av transistor förfina kretskonstruktioner i hög grad, uppnå en jämvikt mellan kompakthet och potent funktionalitet.Att ta tag i sina komplicerade operativa egenskaper kan hjälpa dig att höja produktkvaliteten.Dessutom understryker dess konsekventa prestanda inom konsumentelektronik dess hållbarhet och hållbar pålitlighet över tid.

Tillverkare

Tillverkad av STMicroelectronics, MMBT3904 Transistor betyder varumärkets engagemang för att driva gränserna i mikroelektronik.Som en framträdande enhet inom halvledardomänen påverkar STMicroelectronics djupt branschen, böjd av dess enorma immateriella fastighetsportfölj och avancerade system-on-chip (SOC) kapacitet.Dessa styrkor förenas för att positionera företaget som en drivkraft i teknisk utveckling över hela världen.

Den snabbt utvecklande halvledarsektorn avslöjar den transformativa potentiella inkapslade i Stmicroelectronics erbjudanden.Ökningen av IoT-enheter och det växande behovet av energieffektiva lösningar skapar vägar Stmicroelectronics navigerar adeptly med sin specialiserade kunskap och innovativa tillvägagångssätt.

Stmicroelectronics förbinder sina FoU -ansträngningar inte bara för att förbättra nuvarande teknik utan också till banbrytande innovationer som driver branschbanan.Genom sina initiativ undersöker företaget kontinuerligt nya metoder som driver fram och inspirerar nya riktningar i halvledarlandskapet.

Datablad pdf

MMBT3904 Datablad:

MMBT3904 Datablad.pdf