på 2024/11/4 83

1N5711 Schottky Diode: Alternativ, funktioner och datablad

1N5711 Schottky Diode sticker ut för sin förmåga att växla med anmärkningsvärda hastigheter, i kombination med en särskilt låg spänningsfall.Den här artikeln fördjupar egenskaperna och tillämpningarna i 1N5711 och belyser dess stora bidrag till miljövänliga tekniska framsteg.Genom en utforskning av dess attribut och praktiska implementeringar strävar vi efter att presentera en omfattande förståelse för dess inverkan på modern elektronikdesign och prestanda.

Katalog

Översikt över 1N5711

De 1N5711 Dioden blandar intrikat metall och kisel, vilket tillåter det att uppnå inte bara en anmärkningsvärd hög nedbrytningsspänning utan också anmärkningsvärt snabba växlingsfunktioner.Dess effektiva tillämpning i UHF/VHF -upptäckt och impulsuppgifter beror på dess expansiva operativa intervall.Diodens DO-35-paket erbjuder tillförlitlighet med en framåtströmgräns på 15 mA parad med en framåtspänning på 0,41V.Med sin kompatibilitet med standardledda metoder finns det en enkelhet i dess användning för monteringsprocesser med genomgång, vilket bidrar till dess funktionella överklagande och bidrar till en känsla av teknisk tillfredsställelse.

1N5711 -stiftkonfiguration

1N5711 Symbol och CAD -modell

Funktioner i 1N5711

Berikat skyddsskikt

Dioden 1N5711 inkluderar ett förstärkt skyddsskikt som förbättrar dess förmåga att motstå plötsliga spänningsöverskådor.Detta skikt minskar risken för skador från plötsliga spänningsspikar och erbjuder dioden en längre operativ livslängd.En sådan design från tidigare elektroniska fel på grund av otillräckligt överspänningsskydd, vilket ofta resulterade i kostsam driftstopp och reparationer.

Exceptionellt låg aktiveringsspänning

Det som verkligen skiljer 1N5711 är dess anmärkningsvärt låga aktiveringsspänning.Denna funktion gör det möjligt för dioden att initiera strömflödet med minimal spänning, vilket ger sig väl till energieffektiva kretskonstruktioner.I den moderna elektroniken där att bevara energi ofta är i framkant, bidrar denna egenskap till att minska driftskostnaderna och förlänga batteritiden genom att minimera kraftförluster under spänningsomvandlingar.

Ultrasnabb kopplingshastighet

Diodens ultrasnabbt picosekundsnivåomkopplingshastighet är en definitiv egenskap.Denna snabba omkoppling möjliggör omedelbara övergångar, som är bra i högfrekventa applikationer, särskilt RF- och mikrovågskretsar.Genom att minimera latens förbättrar det hastigheten och prestandan för elektroniska enheter.Denna funktion är ett bevis på pågående förbättringar inom halvledarteknologi och ekar branschens utveckling mot mer smidiga och lyhörda komponenter.

1N5711 -specifikationer

Typ	Parameter
Fabriksledning	15 veckor
Montera	Genom hålet
Antal stift	2
Diodelementmaterial	KISEL
Antal element	1
Förpackning	Tape & Reel (TR)
Delstatus	Aktiv
Antal avslutningar	2
ECCN -kod	Örat99
HTS -kod	8541.40.00.70
Spännings - klassad DC	70V
Aktuellt betyg	15 mA
Räkning	2
Kontaktplätning	Tenn
Förpackning / fodral	DO-204AH, DO-35, Axial
Vikt	4.535924G
Nedbrytningsspänning / v	70V
Driftstemperatur	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
JESD-609 kod	e3
Fuktkänslighetsnivå (MSL)	1 (obegränsad)
Uppsägning	Axial
Tilläggsfunktion	Snabbomkoppling
Kapacitans	2PF
Terminalform	TRÅD
Basdelnummer	1n57
Polaritet	Standard
Diodtyp	Schottky - singel
Framström	15 mA
Framåtström	15 mA
Framspänning	1v
Topp omvänd ström	200na
Kapacitans @ vr, f	2pf @ 0V 1MHz
Utomhusdiameter	1,93 mm
Omvänd spänning (DC)	70V
Höjd	2mm
Bredd	2mm
Strålning härdning	Inga
Blyfri	Blyfri
Maktförsläpp	430 mw
Fallanslutning	ISOLERAD
Max omvänd läckström	200na
Omvänd återhämtningstid	100 PS
Max Repetitive Reverse Spänning (VRRM)	70V
Bakspänning	70V
Max korsningstemperatur (TJ)	200 ° C
Diameter	2mm
Längd	4,5 mm
Nå SVHC	Ingen SVHC
ROHS -status	ROHS3 -kompatibel

Funktionellt blockschema av 1N5711

Tillämpningar av dioden 1N5711

UHF/VHF -signaldetektering

Dioden 1N5711 blir användning i UHF/VHF -signaldetektering, främst på grund av dess snabba växlingsfunktioner och låg kapacitans.Dessa funktioner hjälper till att raffinera och förbättra signalmottagningen, vilket återspeglar den djupa längtan efter tydligare telekommunikation.Genom att minska signalförvrängningen ger dioden förbättrad prestanda i kommunikationssystem, som ekar en delad förståelse i branscher där tydlighet över långa avstånd ofta uppstår som en kontaktpunkt.

Pulshantering med expansivt dynamiskt intervall

I pulsapplikationer står diodens kunskaper i att hantera ett brett dynamiskt intervall som en distinkt tillgång.Dess snabba svar och anpassningsförmåga till förändrade signalintensiteter möjliggör smidig hantering av intrikata elektroniska operationer.Lektioner som dras från fält av analog och digital kretsdesign Spotlight Den mångsidiga användbarheten av dioden och belyser dess dynamiska intervallhantering som en väg till att uppnå operativ precision och stabilitet.

MOS -enheters säkerhet

1N5711 -dioder skyddar kompetentkänsliga MOS -enheter från skada på grund av spänningsspikar, en intrikat aspekt av dess design.Snabb återhämtningstid säkerställer snabb klämma av transienter, vilket ger en pålitlig barriär mot överspänningshot.Denna egenskap är relevant inom kraftelektronik, där strategisk implementering av skyddsåtgärder nästan blir en ritual för precision.

Smidig växling i låg logiknivåkretsar

Diodens kapacitet för effektiv växling i låg logiknivåkretsar gör det till ett optimalt val för att begränsa kraftförlust och öka kretseffektiviteten.I konsumentelektronik drar nytta av dess förmåga att upprätthålla integriteten samtidigt som kraftförbrukningen minskar, vilket ger innovationer i bärbara enhetsdesign.

1N5711 Diodes mångfacetterade applikationer

Undersökning av de olika tillämpningarna av dioden 1N5711 avslöjar sin roll i samtida elektronik.Dess framgångsrika tackling av de komplicerade utmaningarna inom olika applikationer belyser de unika kraven för att välja och integrera komponenter.Denna berättelse betyder det kontinuerliga utbytet mellan teoretiska begrepp och praktisk implementering, vägledande framsteg inom elektronisk teknik.

1N5711 ekvivalenter och alternativ

Del	Tillverkare	Kategori	Beskrivning
Jantx1n5711-1	Mikrosemi	TV -dioder	Jantx Series 70V 33MA genom Hole Schottky Diode - DO -35
Jantxv1n5711-1	Mikrosemi	Dioder	Diode Schottky 70V 0,033A 2PIN DO-35
NTE583	NTE elektronik	Schottky dioder	NTE Electronics NTE583 RF Schottky Diode, singel, 70V, 15mA, 1V, 2PF, DO-35
UF1001-T	Dioder införlivade		Genom Hole Do-204Al, DO-41, Axial 1 V 50 V 50 NS Nej Enstaka blyfri
1N4001G-T	Dioder införlivade		Genom Hole Do-204Al, DO-41, Axial 1 V 50 V 2 μs No Enstaka blyfri
1N5400-T	Dioder införlivade		Genom Hole Do -201D, Axial 1 V 50 V - Ingen enda bly Gratis

Dimensioner av 1N5711

1N5711 Tillverkarinformation

Stmicroelectronics skiljer sig i banbrytande halvledarinnovationer och formar utvecklingen av dagens elektroniska enheter.Denna analys fokuserar på hur detta företag förbättrar anslutningen och effektiviteten inom olika branscher, samtidigt som de avslöjar bredare effekter på den tekniska sfären.En viktig observation uppstår när man överväger Stmicroelectronics omfattande utbud av erbjudanden: blandningen av innovation och tillämpning understryker deras ledarskap i branschen.Att upprätthålla denna balans förbättrar deras förmåga att tillhandahålla transformativa lösningar och uppmuntra andra ekosystemspelare att anpassa och förnya sig tillsammans.Denna strategiska strategi ger dem inte bara en konkurrensfördel utan vårdar också samarbetsutveckling och främjar en sömlös övergång till framtida tekniska miljöer.

Datablad pdf

1N5711 Datablad:

Cylindriska batterilhållare.pdf